{"id":9863,"date":"2022-04-21T11:04:49","date_gmt":"2022-04-21T09:04:49","guid":{"rendered":"https:\/\/anseros-systeme.de\/metal-free-ozone-in-the-fab\/"},"modified":"2022-04-22T11:52:13","modified_gmt":"2022-04-22T09:52:13","slug":"metallfreies-ozon-in-der-fab","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/anseros-systeme.de\/de\/metallfreies-ozon-in-der-fab\/","title":{"rendered":"Metallfreies Ozon in der Fab"},"content":{"rendered":"
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OZON WIRD IN DER Halbleiterindustrie f\u00fcr verschiedene Zwecke verwendet, einschlie\u00dflich Desinfektion, Reduzierung des gesamten organischen Kohlenstoffs (TOC) in Sp\u00fclwasser, Waferreinigung und SiO2-Bildung. Die hohe Sterilisationswirkung von Ozon (aufgrund seiner starken Oxidationskraft und der St\u00f6rung der Membrandurchl\u00e4ssigkeit der Bakterien) ist bekannt und wird seit vielen Jahren zur Sterilisation von Trinkwasser eingesetzt. In der Halbleiterindustrie dient die starke Oxidationskraft der Desinfektion von Prozesswasser und zugleich der Reduzierung von Verunreinigungen auf Schl\u00e4uchen. Zudem wird Ozon bei der Desinfektion von Sp\u00fclwasser eingesetzt, um auftretende Fehler auf dem Wafer zu vermeiden. Denn organische Verunreinigungen im Sp\u00fclwasser k\u00f6nnen die Waferoberfl\u00e4che tr\u00fcben, wodurch der Wafer nicht nur verunreinigt, sondern auch Fehler auf dem Wafer auftreten k\u00f6nnen. Das Ozon besitzt die F\u00e4higkeit diese organischen Verunreinigungen zu zerst\u00f6ren. Der Effekt dieses Verfahrens kann in Kombination mit UV-Licht verst\u00e4rkt werden. Bei dem sogenannten Advanced Oxidation Process (AOP) werden Hydroxylradikale mit einem noch h\u00f6heren Oxidationspotential gegen\u00fcber dem blo\u00dfen Ozon gebildet.<\/p>\n

Eine weitere Anwendung von Ozon in der Halbleiterindustrie ist die Nassreinigung in Kombination mit verd\u00fcnnter Flusss\u00e4ure (DHF). Die wesentlichen Vorteile gegen\u00fcber dem traditionellen RCA clean sind die Reduzierung des Verbrauchs gef\u00e4hrlicher Chemikalien und die Einsparung von deionisiertem (DI) Wasser durch sehr geringe Sp\u00fclzeiten. Die grundlegenden Reinigungstechniken IMEC clean, Diluted Dynamic Clean (DDC) und Ultra Clean Technology (UCT) verwenden zun\u00e4chst eine Kombination aus DI-Wasser und Ozon (DI03) zur Entfernung von organischen Verunreinigungen und Edelmetallen. Die Vorg\u00e4nge zum Entfernen von Partikeln, Metallen und der Oxidschicht unterscheiden sich grundlegend. Zum Beispiel wird bei der IMEC-Reinigung entionisiertes Wasser verwendet, das Fluss- und Salzs\u00e4ure enth\u00e4lt. Es wird eine hydrophobe H-stabilisierte Oberfl\u00e4che erhalten und falls gew\u00fcnscht nur mit DI-Wasser gesp\u00fclt. Wenn eine hydrophile Oberfl\u00e4che gew\u00fcnscht wird, wird DI03 mit HCL oder einer anderen Ozonmischung verwendet, um eine d\u00fcnne Oxidschicht nachwachsen zu lassen. Eine Weiterentwicklung der auf DHF\/DI03 basierenden Nassreinigungstechnik ist der Single-Wafer-Spin Cleaning (SCROD). DHF und DI03 werden abwechselnd auf einen rotierenden Wafer gespr\u00fcht, bis der Wafer den Reinheitsanforderungen entspricht. In diesem Fall k\u00f6nnen keine Verunreinigungen von anderen Wafern durch das Bad \u00fcbertragen werden. Ein \u00e4hnlicher Prozess, der nur DI03 verwendet, kann auch zum Entfernen von Fotolack verwendet werden. <\/p>\n<\/div><\/div> \n\n

DI03 oxidiert den Lack direkt von der Waferoberfl\u00e4che und bildet Kohlendioxid und Wasser. Allerdings sollte der Prozess unter Druck ablaufen und die Ozonkonzentration m\u00f6glichst hoch sein. Eine Verbesserung der Ozonkonzentration an der Waferoberfl\u00e4che kann durch Einblasen von Ozondampf in die Prozesskammer erreicht werden. Ozon kann durch eine kontrollierte Wassergrenzschicht auf der Waferoberfl\u00e4che diffundieren. Die Wasserschicht wird durch die Rotation aufgebaut. Dies f\u00fchrt zu einer Oberfl\u00e4chenozonkonzentration und anschlie\u00dfenden Oxidationsrate, die im Vergleich zur Konzentration von in Wasser gel\u00f6stem Ozon deutlich h\u00f6her ansteigen kann. <\/p>\n

Alle Ozonanwendungen in der Halbleiterindustrie erfordern eine hohe Ozonreinheit. \u00dcblicherweise wird Ozon durch eine Hochspannungs-Volumenentladung erzeugt, bei der die Metallelektrode mit dem Pr\u00fcfgas in Kontakt steht. Dadurch dringen feinste Metallpartikel in das Ozongas ein und kontaminieren die Waferoberfl\u00e4che. W\u00e4hrend die Hochspannungselektrode eines Oberfl\u00e4chenentladungsgenerators grunds\u00e4tzlich aus Wolfram besteht, werden bei Elektroden von Volumentladungsgeneratoren meist Edelstahl verwendet. Im Vergleich zu Edelstahl ist das Wolframmaterial wesentlich widerstandsf\u00e4higer. Aufgrund der hohen Energiedichte an den Elektrodenecken wird das Dielektrikum jedoch im Laufe der Zeit abgetragen, weshalb die Installation von Partikelfilter vor der Verwendung von Ozon notwendig wird. Andernfalls droht eine Kontamination der Wafer. Um eine Verschmutzung der Elektroden und ein Absinken der Ozonkapazit\u00e4t zu vermeiden, m\u00fcssen in beiden F\u00e4llen zus\u00e4tzlich Gase zugegeben werden. Die Zusatzgase bleiben im Prozess bestehen und werden mit dem \u00fcbersch\u00fcssigen Ozon entgast werden m\u00fcssen. F\u00fcr die speziellen Anforderungen der Halbleiterindustrie existieren bereits eine Vielzahl an L\u00f6sungen (unter anderem von ANSEROS). So kann Ozon in sauberen Quarzmodulen ber\u00fchrungslos durch die Metallelektroden erzeugt werden. Hierbei werden die Oberfl\u00e4che von keinen Metallpartikeln kontaminiert und die Wafer bleiben frei von M\u00e4ngeln. Dar\u00fcber hinaus bleibt die Ozonkapazit\u00e4t bei diesem Verfahren mit h\u00f6chster Zuverl\u00e4ssigkeit konstant.<\/p>\n

Der Markt f\u00fcr Ozongeneratoren ist mit etwa 500 verkauften Ozongeneratoren pro Jahr in den USA, 100 in Europa und 200 in Asien in den letzten Jahren gewachsen. Die Ozontechnologie kann den Wasser-, Chemikalien- und Energieverbrauch in Halbleiterprozessanlagen reduzieren. Mit Hilfe von Ozon kann der Einsatz von Chemikalien bei der Halbleiterherstellung ersetzt werden und das Ziel einer gr\u00fcneren Zukunft verfolgt werden.<\/p>\n<\/div><\/div> \n\n<\/div> \n

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